买卖IC网 >> 产品目录 >> BLS6G2933P-200,117 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR PALLET AMPLIFIER datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLS6G2933P-200,117

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR PALLET AMPLIFIER
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR PALLET AMPLIFIER
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制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 2.9 GHz to 3.3 GHz
增益 11 dB
输出功率 220 W
汲极/源极击穿电压 60 V
漏极连续电流 66 A
闸/源击穿电压 11 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOM038 (LDMOS)
封装 Tray
相关资料
属性
链接
代理商 BLS6G2933P-200,117
BLS6G2933S-130
BLS6G2933S-130,112
BLS6G3135-120
BLS6G3135-120,112
BLS6G3135-20
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  • BLS6G2933P-200,117 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    12 1395.428 16745.14
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